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皇冠搏彩中心FRAM是一种铁电存储器它的自身优势

作者:admin时间:2020-10-13 22:00

  和RAM性格的FRAM正在高速读写,高读写耐久性,皇冠搏彩中心低功耗,防窜改等方面具有上风。FRAM团结了ROM和RAM的特色,具有高速写数据,低功耗,高速读/写周期等利益。

  富士通型号MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM,可正在125℃高温下平常任务,任务电压可低至1.7V至1.95V,并设有串行外设接口(SPI)。这种全新的FRAM产物是汽车电子限制单位的最佳选取,它能满意汽车商场对诸如ADAS如许的低功耗电子器件的高端需求。

  FRAM的读/写耐久性、写速率和功耗都比EEPROM和FRAM好,咱们的FRAM被那些不满意古代非易失性存储器本能的用户所领受。

  富士通连续推出64Kbit~2Mbit汽车级FRAM产物,任务电压3.3V或5V。可是高端汽车电控单位的推出,使少少用户起源请求FRAM电压不横跨1.8V。这款全新的FRAM是富士通公司为满意这个商场需求而推出的。

  正在-40°C至+125°C的温度限制内,MB85RS2MLY的读/写次数可达10MB,适合某些需求及时数据记载的利用,如不断10年每天记载0.1秒的数据,写入次数将横跨30亿。本产物的牢靠性测试合适AEC-Q100Grade1法式,并通过了汽车级产物认证。因此就数据写入耐久性和牢靠性而言,富士通电子迩来推出的铁电存储器FRAM齐备援救ADAS等利用,需求及时数据记载。皇冠搏彩中心

  该FRAM产物采用工业法式8-pin SOP封装,可能很容易地取代现有的EEPROM,相仿于管脚。供给8-pinDFN(无引线双面平面)封装,外形尺寸5.0mmx6.0mmx0.9mm。

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